Memoria UFS Samsung

A falta de muy pocos dรญas para el lanzamiento de los nuevos y esperados Samsung Galaxy S6 y Galaxy S6 Edge en el Mobile World Congress de Barcelona, la multinacional coreana ha anunciado hoy una nueva memoria flash para dispositivos mรณviles. ย Esta memoria tiene una capacidad mรกxima de 128 GB y responde a las especificaciones UFS (Universal Flash Storage 2.0). La nueva flash es 2,7 veces mรกs rรกpida que las memorias convencionales, y ademรกs es mรกs eficiente ya que consume un 50 por ciento menos de energรญa. Todo parece indicar que este componente acabarรก formando parte de la lista de caracterรญsticas de los nuevos Samsung Galaxy S6 y Galaxy S6 Edge, pero tambiรฉn podrรญa estar disponible para otros fabricantes.

Si hace unos pocos dรญas Samsung anunciaba un acuerdo para suministrar su nueva memoria RAM DDR4 a LG e incluso a Apple para la fabricaciรณn de sus prรณximos smartphones LG G4 y iPhone 6S, hoy el gigante coreano ha anunciado el desarrollo de un nuevo componente para smartphones o dispositivos mรณviles. Este nuevo componente estรก destinado no sรณlo a ampliar la capacidad de almacenamiento de los prรณximos smartphones, sino que tambiรฉn acelerarรก el acceso a nuestros datos.ย Se trata de una memoria flash interna que puede llegar a tener una capacidad total de 128 GB y que gracias a su tecnologรญa superarรญa con creces las velocidades de las memorias que equipan ahora nuestros telรฉfonos, ya que el nuevo componente de los coreanos puede llegar a operar 2,7 veces mรกs rรกpido que las actuales memorias internas de tipo eMMC, segรบn Samsung.

Samsung

En el comunicado que se ha distribuido hoy a la prensa internacional, Samsung ha anunciado que, en concreto, este nuevo componente es capaz de alcanzar las 19.000 IOPS (input/output operations per second, u operaciones de entrada/salida por segundo), y que su velocidad de lectura es 12 veces mรกs rรกpida si la comparamos con una tarjeta de memoria convencional tipo MicroSD, que para que nos hagamos una idea funciona a 1.500 IOPS. Ademรกs de este aumento en la velocidad de acceso a los datos, la nueva memoria UFS de Samsung reduce el consume de energรญa en un 50 por ciento respecto a las memorias convencionales.

Asimismo, aparte de la versiรณn de 128 GB, Samsung fabricarรก tambiรฉn chips con 64 y con 32 GB de capacidad para poder equipar todas las posibles versiones de sus nuevos smartphones. El lanzamiento de estas nuevas memorias flash parece confirmar las cifras de almacenamiento interno de losย Samsung Galaxy S6 y Galaxy S6 Edge que se habรญan deducido a partir del gran numero de filtraciones e informaciones no oficiales que se han ido sucediendo recientemiente. De la misma manera, estas nuevas memoriasย podrรญan anunciar indirectamente que los nuevos topes de gama de la familia de smartphones Samsung prescindirรญan de la ranura para tarjetas MicroSD, ya que con 128 GB de memoria a tanta velocidad, sumados a los actuales sistemas de backup en la nube harรญan innecesario el uso de tarjetas de memoria externa.