A falta de muy pocos días para el lanzamiento de los nuevos y esperados Samsung Galaxy S6 y Galaxy S6 Edge en el Mobile World Congress de Barcelona, la multinacional coreana ha anunciado hoy una nueva memoria flash para dispositivos móviles.  Esta memoria tiene una capacidad máxima de 128 GB y responde a las especificaciones UFS (Universal Flash Storage 2.0). La nueva flash es 2,7 veces más rápida que las memorias convencionales, y además es más eficiente ya que consume un 50 por ciento menos de energía. Todo parece indicar que este componente acabará formando parte de la lista de características de los nuevos Samsung Galaxy S6 y Galaxy S6 Edge, pero también podría estar disponible para otros fabricantes.

Si hace unos pocos días Samsung anunciaba un acuerdo para suministrar su nueva memoria RAM DDR4 a LG e incluso a Apple para la fabricación de sus próximos smartphones LG G4 y iPhone 6S, hoy el gigante coreano ha anunciado el desarrollo de un nuevo componente para smartphones o dispositivos móviles. Este nuevo componente está destinado no sólo a ampliar la capacidad de almacenamiento de los próximos smartphones, sino que también acelerará el acceso a nuestros datos. Se trata de una memoria flash interna que puede llegar a tener una capacidad total de 128 GB y que gracias a su tecnología superaría con creces las velocidades de las memorias que equipan ahora nuestros teléfonos, ya que el nuevo componente de los coreanos puede llegar a operar 2,7 veces más rápido que las actuales memorias internas de tipo eMMC, según Samsung.

En el comunicado que se ha distribuido hoy a la prensa internacional, Samsung ha anunciado que, en concreto, este nuevo componente es capaz de alcanzar las 19.000 IOPS (input/output operations per second, u operaciones de entrada/salida por segundo), y que su velocidad de lectura es 12 veces más rápida si la comparamos con una tarjeta de memoria convencional tipo MicroSD, que para que nos hagamos una idea funciona a 1.500 IOPS. Además de este aumento en la velocidad de acceso a los datos, la nueva memoria UFS de Samsung reduce el consume de energía en un 50 por ciento respecto a las memorias convencionales.

Asimismo, aparte de la versión de 128 GB, Samsung fabricará también chips con 64 y con 32 GB de capacidad para poder equipar todas las posibles versiones de sus nuevos smartphones. El lanzamiento de estas nuevas memorias flash parece confirmar las cifras de almacenamiento interno de los Samsung Galaxy S6 y Galaxy S6 Edge que se habían deducido a partir del gran numero de filtraciones e informaciones no oficiales que se han ido sucediendo recientemiente. De la misma manera, estas nuevas memorias podrían anunciar indirectamente que los nuevos topes de gama de la familia de smartphones Samsung prescindirían de la ranura para tarjetas MicroSD, ya que con 128 GB de memoria a tanta velocidad, sumados a los actuales sistemas de backup en la nube harían innecesario el uso de tarjetas de memoria externa.

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